BD533

Teknik Özellikler

Polaritychannel Type

NPN

Transition Frequency

12MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V

JESD-609 Kodu

e3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Type

NPN

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Terminal Sayısı

3

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Pin Sayısı

3

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Collector Base Voltage Vcbo

45V

Number Of Elements

1

Montaj

Through Hole

Jesd30 Code

R-PSFM-T3

Akım Değeri

8A

Temel Parça No

BD533

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

25 @ 2A 2V

Kılıf / Paket

TO-220-3

Hfemin

20

Voltage Rated Dc

45V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

800mV

Vcesatmax

0.8 V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Max Collector Current

8A

Max Power Dissipation

50W

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Current Collector Cutoff Max

100μA

Gain Bandwidth Product

12MHz

Qualification Status

Not Qualified

Vce Saturation Max Ib Ic

800mV @ 600mA, 6A

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Montaj Tipi

Through Hole

ECCN Kodu

EAR99

Parça Durumu

Obsolete

Element Configuration

Single