Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$24.12
- 10+ adet$22.75
- 100+ adet$21.47
- 500+ adet$20.25
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Dissipation Max
- 75mW
- Diode Element Material
- SILICON
- HTS Kodu
- 8541.10.00.60
- Yayın Yılı
- 2011
- Element Configuration
- Single
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Ambalaj
- Bulk
- ECCN Kodu
- EAR99
- Voltage Peak Reverse Max
- 2V
- Terminal Sayısı
- 1
- Fabrika Tedarik Süresi
- 14 Weeks
- Max Current Rating
- 100mA
- Pin Sayısı
- 2
- Parça Durumu
- Active
- Number Of Elements
- 1
- Frequency Band
- VERY HIGH FREQUENCY TO MILLIMETER WAVE B
- Pin Sayısı
- 2
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Diode Capacitancemax
- 0.15pF
- Diode Type
- Schottky - Single
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Montaj
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- Die
- Type Of Schottky Barrier
- ZERO BARRIER
- Impedancemax
- 15000Ohm
- Tangential Signal Sensitivitymin
- 56 dBm
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Impedancemin
- 5000Ohm
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Jesd30 Code
- R-XUUC-N1