SI8650ED-B-IS

Teknik Özellikler

Pd Power Dissipation

415 mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

2A (4 Weeks)

Depth

2.65mm

Yayın Yılı

1997

Pin Sayısı

16

Uzunluk

10.3mm

Turn On Delay Time

10 ns

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Number Of Channels

5 Channel

Development Kit

si86xxiso-kit

Pulse Width Distortion Max

4.5ns

Screening Level

AEC-Q100

Temel Ürün No

SI8650

Yüzey Montaj

YES

Qualification

AEC-Q100

Propagation Delay

13 ns

Besleme Gerilimi

2.5V ~ 5.5V

Isolation Type

Capacitive Coupling

Ürün Durumu

Active

Besleme Gerilimi

5V

Max Power Dissipation

415mW

Terminal Formu

GULL WING

RoHS

Details

Ambalaj

Tube

Reverse Channels

0 Channel

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Isolated Power

No

Pin Sayısı

16

Fonksiyon Sayısı

1

Isolation Voltage

5000 Vrms

Data Rate

150 Mb/s

Moisture Sensitive

Yes

Fabrika Paket Adedi

46

Maximum Fall Time

4 ns

Tip

General Purpose

Kılıf / Paket

SOIC-Wide-16

Tedarikçi Cihaz Paketi

16-SOIC

Çalışma Sıcaklığı

-40°C ~ 125°C

Nominal Supply Current

22.1mA

Inputs Side1side2

5/0