SI8662AB-B-IS1

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2000

Depth

1.25mm

Pd Power Dissipation

415 mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

2 (1 Year)

Supply Voltagemin Vsup

2.5V

Temel Ürün No

SI8662

Pulse Width Distortion Max

25ns

Development Kit

si86xxiso-kit

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Number Of Channels

6

Uzunluk

9.9mm

Turn On Delay Time

2 ns

Montaj

Surface Mount

Isolation Type

Capacitive Coupling

Propagation Delay

35 ns

Besleme Gerilimi

2.5V~5.5V

Qualification

AEC-Q100

Reverse Channels

2 Channel

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Fonksiyon Sayısı

1

Isolated Power

No

Pin Sayısı

16

RoHS

Details

Ambalaj

Tube

Max Power Dissipation

415mW

Maximum Data Rate

1Mbps

Terminal Formu

GULL WING

Besleme Gerilimi

3.3V

Ürün Durumu

Active

Terminal Adımı

1.27mm

Inputs Side1side2

4/2

Tedarikçi Cihaz Paketi

16-SOIC

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~125°C

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fabrika Paket Adedi

48

Kılıf / Paket

16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Tip

General Purpose

Maximum Fall Time

4 ns

Isolation Voltage

2500 Vrms

Maks. Oturma Yüksekliği

1.75mm