PT100MF0MP

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Kılıf / Paket

2-SMD, No Lead

Çalışma Sıcaklığı

-30°C~85°C TA

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Fonksiyon Sayısı

1

Fall Time Typ

6 μs

Output Current

20mA

Orientation

Universal

JESD-609 Kodu

e4

Configuration

SINGLE

Dark Current

1nA

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Dissipation

75mW

Yükseklik

1.7mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Parça Durumu

Active

Infrared Range

YES

Shape

ROUND

Viewing Angle

30°

Montaj

Surface Mount

Max Collector Current

3.45mA

Polarity

NPN

Rise Time

5μs

Max Breakdown Voltage

35V

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Light Currentnom

2mA

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

75mW

Lens Style

Domed

Current Dark Id Max

100nA

Pin Sayısı

2

Optoelectronic Device Type

PHOTO TRANSISTOR

Collector Emitter Voltage Vceo

35V

Terminal Kaplaması

Gold (Au)

Number Of Elements

1