GP1S51VJ000F

Teknik Özellikler

Min. Çalışma Sıcaklığı

-25°C

Output Configuration

Phototransistor

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

20mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Uzunluk

12.2mm

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Last Time Buy

Rise Time

15μs

Montaj Tipi

Through Hole

Reverse Breakdown Voltage

6V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Number Of Elements

1

Kılıf / Paket

PCB Mount

Genişlik

10mm

Ambalaj

Bulk

Number Of Channels

1

Yükseklik

5mm

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

35V

Pin Sayısı

4

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Response Time

3μs, 4μs

Sensing Method

Through-Beam

Collector Emitter Voltage Vceo

35V

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Fall Time Typ

20 μs

Algılama Mesafesi

0.118 (3mm)

Contact Plating

Copper, Silver, Tin

Tip

Unamplified

Montaj

Screw, Through Hole

Output Current

20mA

Forward Voltage

1.25V

Currentcollector Ic Max

20mA

Power Dissipation

75mW

Forward Current

50mA

Current Dc Forward If Max

50mA