GP1S093HCZ0F

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Fonksiyon Sayısı

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Output Configuration

Phototransistor

Onstate Collector Currentnom

0.1mA

Output Voltage

35V

Max Collector Current

20mA

Uzunluk

2.6mm

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Rise Time

150μs

Montaj Tipi

Through Hole

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz

Lead Free

Reverse Breakdown Voltage

6V

Kılıf / Paket

PCB Mount

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e2

Reach Svhc

Unknown

Yükseklik

2.9mm

Ambalaj

Tube

Input Current

50mA

Genişlik

4.5mm

Pin Sayısı

4

Collector Emitter Voltage Vceo

35V

Sensing Method

Through-Beam

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Response Time

50μs, 50μs

Algılama Mesafesi

0.079 (2mm)

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Fall Time Typ

150 μs

Tip

Unamplified

Contact Plating

Copper, Tin

Slot Widthnom

2mm

Forward Voltage

1.2V

Output Current

20mA

Montaj

Through Hole

Reverse Voltage Dc

6V

Power Dissipation

100mW