GP1S53VJ000F

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-25°C

Reverse Breakdown Voltage

6V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Parça Durumu

Active

Radyasyon Dayanımı

No

Sensing Method

Transmissive

Algılama Mesafesi

0.197 (5mm)

Fall Time Typ

20 μs

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

35V

Pin Sayısı

4

Üretici Parça No

CBK-MPIF8W

Forward Current

50mA

Contact Plating

Copper, Silver, Tin

Tip

Unamplified

Ürün Durumu

Obsolete

Montaj

Through Hole

Output Configuration

Phototransistor

Max Collector Current

20mA

Output Voltage

35V

Kılıf / Paket

4-DIP

Paket

Bulk

Reach Svhc

Unknown

Number Of Elements

1

Uzunluk

13.7mm

Kurşunsuz

Lead Free

Rise Time

15μs

Montaj Tipi

Through Hole

Collector Emitter Voltage Vceo

35V

Response Time

3µs, 4µs

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-25°C ~ 85°C

Yükseklik

10mm

Number Of Channels

1

Genişlik

5.2mm

Input Current

20mA

Ambalaj

Bulk

Çıkış Tipi

Phototransistor

Power Dissipation

75mW