GP1S196HCZ0F

Teknik Özellikler

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

35 V

Pin Sayısı

4

Genişlik

2mm

Input Current

20mA

Ambalaj

Tube

Yükseklik

2.7mm

Fall Time Typ

150 μs

Çalışma Sıcaklığı

-25°C ~ 85°C

Algılama Mesafesi

0.043 (1.1mm)

Response Time

50µs, 50µs

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Sensing Method

Through-Beam

Collector Emitter Voltage Vceo

35V

Montaj

Through Hole

Wavelength

930 nm

Currentcollector Ic Max

20 mA

Slot Widthnom

1.1mm

Contact Plating

Copper, Tin

Tip

Unamplified

Ürün Durumu

Active

Current Dc Forward If Max

30 mA

Forward Current

30mA

Power Dissipation

100mW

Fonksiyon Sayısı

1

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Max Collector Current

20mA

Output Voltage

35V

Temel Ürün No

GP1S196

Onstate Collector Currentnom

20mA

Output Configuration

Phototransistor

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Montaj Tipi

Through Hole

Rise Time

150μs

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Uzunluk

3.1mm

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Paket

Tube