GP1S097HCZ0F

Teknik Özellikler

Collector Emitter Voltage Vceo

35V

Sensing Method

Through-Beam

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Response Time

50µs, 50µs

Radyasyon Dayanımı

No

Algılama Mesafesi

0.079 (2mm)

Fall Time Typ

150 μs

Çalışma Sıcaklığı

-25°C ~ 85°C

Yükseklik

4.5mm

Input Current

50mA

Ambalaj

Tube

Genişlik

2.6mm

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

35 V

Pin Sayısı

4

Power Dissipation

100mW

Current Dc Forward If Max

50 mA

Forward Current

50mA

Ürün Durumu

Discontinued at Digi-Key

Tip

Unamplified

Contact Plating

Copper, Tin

Slot Widthnom

2mm

Forward Voltage

1.2V

Currentcollector Ic Max

20 mA

Output Current

20mA

Montaj

Through Hole

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Output Configuration

Phototransistor

Onstate Collector Currentnom

0.1mA

Max Collector Current

20mA

Fonksiyon Sayısı

1

Reverse Breakdown Voltage

6V

Kılıf / Paket

PCB Mount

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e2

Paket

Tube

Uzunluk

4.5mm

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Montaj Tipi

Through Hole

Rise Time

150μs