GP1S74PJ000F

Teknik Özellikler

Fonksiyon Sayısı

1

Max Collector Current

20mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

1997

Onstate Collector Currentnom

0.5mA

Rise Time

15μs

Montaj Tipi

Snap-In

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Kılıf / Paket

Module, Connector

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e3

Reverse Breakdown Voltage

6V

Pin Sayısı

3

Ambalaj

Tube

Algılama Mesafesi

0.197 (5mm)

Fall Time Typ

20 μs

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Collector Emitter Voltage Vceo

35V

Sensing Method

Through-Beam

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Response Time

3μs, 4μs

Radyasyon Dayanımı

No

Forward Voltage

1.2V

Montaj

Snap in

Output Current

20mA

Tip

Unamplified

Slot Widthnom

5mm

Forward Current

50mA

Power Dissipation

75mW