GP1S73P2J00F

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

1997

Max Collector Current

20mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-25°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Kılıf / Paket

Module, Connector

Number Of Elements

1

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Rise Time

15μs

Montaj Tipi

Snap-In

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Lead Free

Collector Emitter Voltage Vceo

35V

Sensing Method

Through-Beam

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Response Time

3μs, 4μs

Algılama Mesafesi

0.197 (5mm)

Fall Time Typ

20 μs

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Ambalaj

Bulk

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

35V

Power Dissipation

75mW

Forward Current

50mA

Current Dc Forward If Max

50mA

Tip

Unamplified

Forward Voltage

1.2V

Currentcollector Ic Max

20mA

Montaj

Snap in

Output Current

20mA