GP1S73P2

Teknik Özellikler

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

1997

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

20mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-25°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Kılıf / Paket

Module, Connector

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Kurşunsuz

Contains Lead

Parça Durumu

Obsolete

Montaj Tipi

Snap-In

Rise Time

3μs

Response Time

3μs, 4μs

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Sensing Method

Through-Beam

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Algılama Mesafesi

0.197 (5mm)

Ambalaj

Bulk

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

35V

Current Dc Forward If Max

50mA

Tip

Unamplified

Output Current

20mA

Montaj

Snap in

Forward Voltage

1.2V

Currentcollector Ic Max

20mA