GP1S59

Teknik Özellikler

Ambalaj

Bulk

Sensing Method

Through-Beam

Response Time

3μs, 4μs

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Algılama Mesafesi

0.165 (4.2mm)

Slot Widthnom

4.2mm

Tip

Unamplified

Montaj

Through Hole

Output Current

20mA

Forward Voltage

1.25V

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Current Dc Forward If Max

50mA

Dark Currentmax

100nA

Fonksiyon Sayısı

1

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

1997

Onstate Collector Currentnom

20mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

20mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Forward Currentmax

0.05A

Montaj Tipi

Through Hole

Rise Time

3μs

Kurşunsuz

Contains Lead

Parça Durumu

Obsolete

Kılıf / Paket

PCB Mount