GP1S56TJ000F

Teknik Özellikler

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Rise Time

90μs

Montaj Tipi

Through Hole

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Discontinued

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Reverse Breakdown Voltage

6V

Kılıf / Paket

PCB Mount

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Min. Çalışma Sıcaklığı

-25°C

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

1997

Output Configuration

Phototransistor

Max Collector Current

20mA

Tip

Unamplified

Contact Plating

Copper, Silver, Tin

Forward Voltage

1.2V

Currentcollector Ic Max

20mA

Montaj

Through Hole

Output Current

20mA

Power Dissipation

75mW

Forward Current

50mA

Current Dc Forward If Max

50mA

Ambalaj

Tube

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

35V

Pin Sayısı

4

Collector Emitter Voltage Vceo

35V

Sensing Method

Through-Beam

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Response Time

38μs, 48μs

Algılama Mesafesi

0.079 (2mm)

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Fall Time Typ

110 μs