GP1S560

Teknik Özellikler

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

35V

Ambalaj

Bulk

Algılama Mesafesi

0.079 (2mm)

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Sensing Method

Through-Beam

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Response Time

38μs, 48μs

Currentcollector Ic Max

20mA

Forward Voltage

1.2V

Output Current

20mA

Montaj

Through Hole

Tip

Unamplified

Current Dc Forward If Max

50mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-25°C

Max Collector Current

20mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

1997

Output Configuration

Phototransistor

Rise Time

38μs

Montaj Tipi

Through Hole

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Contains Lead

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Kılıf / Paket

PCB Mount

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C