GP1S52V

Teknik Özellikler

Current Dc Forward If Max

50mA

Montaj

Through Hole

Output Current

20mA

Forward Voltage

1.25V

Currentcollector Ic Max

20mA

Tip

Unamplified

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Algılama Mesafesi

0.118 (3mm)

Sensing Method

Through-Beam

Response Time

3μs, 4μs

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

35V

Ambalaj

Bulk

Kılıf / Paket

PCB Mount

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Rise Time

3μs

Montaj Tipi

Through Hole

Kurşunsuz

Contains Lead

Parça Durumu

Obsolete

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Max Collector Current

20mA

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

1997

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-25°C