GP1S39

Teknik Özellikler

Sensing Method

Through-Beam

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Response Time

50μs, 50μs

Algılama Mesafesi

0.059 (1.5mm)

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Ambalaj

Bulk

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

35V

Current Dc Forward If Max

50mA

Tip

Unamplified

Forward Voltage

1.2V

Currentcollector Ic Max

20mA

Montaj

Through Hole

Output Current

20mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

1999

Max Collector Current

20mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-25°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Kılıf / Paket

PCB Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Rise Time

50μs

Montaj Tipi

Through Hole

Kurşunsuz

Contains Lead

Parça Durumu

Obsolete