GP1S25J0000F

Teknik Özellikler

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Time

100μs

Reverse Breakdown Voltage

6V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Kılıf / Paket

4-SMD

Number Of Elements

1

Min. Çalışma Sıcaklığı

-25°C

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

2006

Max Collector Current

20mA

Tip

Unamplified

Currentcollector Ic Max

20mA

Montaj

Surface Mount, Through Hole

Power Dissipation

100mW

Current Dc Forward If Max

50mA

Forward Current

50mA

Ambalaj

Bulk

Pin Sayısı

4

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

35V

Collector Emitter Voltage Vceo

35V

Response Time

35μs, 35μs

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Sensing Method

Through-Beam

Algılama Mesafesi

0.063 (1.6mm)

Fall Time Typ

100 μs

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C