GP1S097HCZ

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Algılama Mesafesi

0.079 (2mm)

Response Time

50μs, 50μs

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Sensing Method

Through-Beam

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

35V

Ambalaj

Tube

Current Dc Forward If Max

50mA

Output Current

20mA

Montaj

Through Hole

Forward Voltage

1.2V

Currentcollector Ic Max

20mA

Tip

Unamplified

Max Collector Current

20mA

Output Configuration

Phototransistor

Yayın Yılı

1999

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-25°C

Kılıf / Paket

PCB Mount

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Contains Lead

Rise Time

50μs

Montaj Tipi

Through Hole

Collectoremitter Breakdown Voltage

35V