MMBTH10

Teknik Özellikler

Max Breakdown Voltage

25V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Weight

30mg

Qualification Status

COMMERCIAL

Akım Değeri

50mA

Additional Feature

LOW NOISE

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

60 @ 4mA 10V

Transistor Type

NPN

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Genişlik

1.3mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2007

Collector Emitter Voltage Vceo

25V

Continuous Collector Current

50mA

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

Number Of Elements

1

Polarity

NPN

Part Life Cycle Code

Contact Manufacturer

Rohs Code

Yes

Terminal Formu

GULL WING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

REACH Uyumluluk Kodu

compliant

JESD-609 Kodu

e0

Configuration

SINGLE

Max Power Dissipation

225mW

Terminal Sayısı

3

Frekans

650MHz

Transistor Element Material

SILICON

Ihs Manufacturer

SECOS CORP

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Transistor Application

AMPLIFIER

Exterior Housing Material

1

Max Frequency

650MHz

Emitter Base Voltage Vebo

3V

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Uzunluk

2.92mm

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Currentcollector Ic Max

50mA

Contact Plating

Tin