
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Jesd30 Code
- R-PSIP-T10
- Power Max
- 4W
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.067
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.5V @ 1mA, 500mA
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 2000 @ 500mA 4V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.5V
- Number Of Elements
- 4
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Ambalaj
- Bulk
- HTS Kodu
- 8541.29.00.75
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Sayısı
- 10
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Polaritychannel Type
- NPN
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Frequency Transition
- 50MHz
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Transistor Element Material
- SILICON
- Max Collector Current
- 1A
- Max Power Dissipation
- 4W
- Yayın Yılı
- 2001
- Montaj
- Through Hole
- Kılıf / Paket
- 10-SIP
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Transistor Type
- 4 NPN Darlington (Quad)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Fabrika Tedarik Süresi
- 36 Weeks
- Qualification Status
- Not Qualified
- Pin Sayısı
- 10
- Transition Frequency
- 50MHz
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Parça Durumu
- Active
- Configuration
- COMPLEX
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

