
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Emitter Base Voltage Vebo
- 6V
- Yayın Yılı
- 2001
- Montaj
- Through Hole
- Kılıf / Paket
- 10-SIP
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Max Power Dissipation
- 4W
- Max Collector Current
- 6A
- Transistor Element Material
- SILICON
- Qualification Status
- Not Qualified
- Pin Sayısı
- 10
- Fabrika Tedarik Süresi
- 36 Weeks
- ECCN Kodu
- EAR99
- Transistor Type
- 4 NPN Darlington (Quad)
- Configuration
- COMPLEX
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Parça Durumu
- Active
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 1.5V
- Pin Sayısı
- 10
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.5V @ 10mA, 3A
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.05
- Yükseklik
- 11.7mm
- Power Dissipation
- 4W
- Hfemin
- 2000
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 60V
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 2000 @ 3A 2V
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60V
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Current Collector Cutoff Max
- 100μA ICBO
- Terminal Sayısı
- 10
- Ambalaj
- Bulk
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Number Of Elements
- 4
- Max Junction Temperature Tj
- 150°C
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Polarity
- NPN
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

