Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Collector Current
- 3A
- Transistor Element Material
- SILICON
- Max Power Dissipation
- 4W
- Kılıf / Paket
- 10-SIP
- Montaj
- Through Hole
- Yayın Yılı
- 1999
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 200V
- Transistor Type
- 4 NPN Darlington (Quad)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 36 Weeks
- ECCN Kodu
- EAR99
- Pin Sayısı
- 10
- Qualification Status
- Not Qualified
- Parça Durumu
- Active
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Configuration
- COMPLEX
- Jesd30 Code
- R-PSIP-T10
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.1
- Power Max
- 4W
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 2V @ 1.5mA, 1A
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 1000 @ 1A 4V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 2V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Number Of Elements
- 4
- Terminal Sayısı
- 10
- Current Collector Cutoff Max
- 100μA ICBO
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Ambalaj
- Bulk
- HTS Kodu
- 8541.29.00.95
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Polaritychannel Type
- NPN
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors