Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Power Dissipation
- 3W
- Transistor Element Material
- SILICON
- Max Collector Current
- 4A
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 100V
- Kılıf / Paket
- 8-SIP
- Montaj
- Through Hole
- Yayın Yılı
- 2001
- Transistor Type
- 3 NPN Darlington (Emitter Coupled)
- Qualification Status
- Not Qualified
- Pin Sayısı
- 8
- ECCN Kodu
- EAR99
- Fabrika Tedarik Süresi
- 36 Weeks
- Configuration
- COMPLEX
- Parça Durumu
- Active
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Jesd30 Code
- R-PSIP-T8
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 2V @ 10mA, 2A
- Power Max
- 3W
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.167
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 1000 @ 2A 4V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 2V
- Number Of Elements
- 3
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Polaritychannel Type
- NPN
- Kurşunsuz
- Lead Free
- HTS Kodu
- 8541.29.00.95
- Ambalaj
- Bulk
- Current Collector Cutoff Max
- 100μA ICBO
- Terminal Sayısı
- 8
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Transistor Application
- SWITCHING
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors