Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 1000 @ 3A 4V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 2V
- Jesd30 Code
- R-PSIP-T8
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.075
- Power Max
- 3W
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 2V @ 10mA, 3A
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Transistor Application
- SWITCHING
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Number Of Elements
- 3
- Ambalaj
- Tube
- HTS Kodu
- 8541.29.00.95
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Current Collector Cutoff Max
- 100μA ICBO
- Terminal Sayısı
- 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Polaritychannel Type
- PNP
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Transistor Type
- 3 PNP Darlington (Emitter Coupled)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Fabrika Tedarik Süresi
- 36 Weeks
- Pin Sayısı
- 8
- Qualification Status
- Not Qualified
- Transistor Element Material
- SILICON
- Max Collector Current
- 4A
- Max Power Dissipation
- 3W
- Yayın Yılı
- 2001
- Montaj
- Through Hole
- Kılıf / Paket
- 8-SIP
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Parça Durumu
- Active
- Configuration
- COMPLEX
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors