Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Configuration
- COMPLEX
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Parça Durumu
- Active
- Max Power Dissipation
- 3W
- Transistor Element Material
- SILICON
- Max Collector Current
- 4A
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Kılıf / Paket
- 8-SIP
- Montaj
- Through Hole
- Yayın Yılı
- 2001
- Transistor Type
- 3 NPN Darlington (Emitter Coupled)
- Qualification Status
- Not Qualified
- Pin Sayısı
- 8
- ECCN Kodu
- EAR99
- Fabrika Tedarik Süresi
- 36 Weeks
- Number Of Elements
- 3
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Polaritychannel Type
- NPN
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Ambalaj
- Bulk
- HTS Kodu
- 8541.29.00.95
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Sayısı
- 8
- Current Collector Cutoff Max
- 100μA ICBO
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Jesd30 Code
- R-PSIP-T8
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 2V @ 10mA, 3A
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.05
- Power Max
- 3W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 1000 @ 3A 4V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 2V
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors