SMA5118

Teknik Özellikler

Kurşunsuz Kodu

yes

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Ambalaj

Tube

Fet Feature

Standard

Drain To Source Voltage Vdss

500V

Fet Type

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Drain Currentmax Abs Id

5A

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Power Max

4W

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Ds Breakdown Voltagemin

500V

Kılıf / Paket

12-SIP

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2001

Max Power Dissipation

4W

Kurşunsuz

Lead Free

Configuration

COMPLEX

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Pin Sayısı

12

Qualification Status

Not Qualified

Pulsed Drain Currentmax Idm

10A

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Rds On Max Id Vgs

1.4 Ω @ 2.5A, 10V

Number Of Elements

6

Montaj Tipi

Through Hole

Input Capacitance Ciss Max Vds

770pF @ 10V

Avalanche Energy Rating Eas

45 mJ

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Terminal Pozisyonu

SINGLE

HTS Kodu

8541.29.00.95

Terminal Sayısı

12

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

5A

Montaj

Through Hole

Jesd30 Code

R-PSIP-T12

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Vgsth Max Id

4V @ 1mA

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ