SMA5117

Teknik Özellikler

Montaj Tipi

Through Hole

Number Of Elements

6

Rds On Max Id Vgs

250m Ω @ 3.5A, 10V

Parça Durumu

Active

Pulsed Drain Currentmax Idm

15A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Vgsth Max Id

4V @ 1mA

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Continuous Drain Current Id

7A

Montaj

Through Hole

Jesd30 Code

R-PSIP-T12

Terminal Sayısı

12

Transistor Element Material

SILICON

HTS Kodu

8541.29.00.95

Avalanche Energy Rating Eas

120 mJ

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Input Capacitance Ciss Max Vds

850pF @ 10V

Ds Breakdown Voltagemin

250V

Kılıf / Paket

12-SIP

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Drain Currentmax Abs Id

7A

Power Max

4W

Drain To Source Voltage Vdss

250V

Fet Type

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Fet Feature

Standard

Ambalaj

Tube

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz Kodu

yes

Qualification Status

Not Qualified

Drainsource On Resistancemax

0.25Ohm

Pin Sayısı

12

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Configuration

COMPLEX

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2001