SMA5106

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Parça Durumu

Active

Pulsed Drain Currentmax Idm

8A

Current Collector Cutoff Max

10μA ICBO

Collectoremitter Breakdown Voltage

120V

Number Of Elements

4

Montaj Tipi

Through Hole

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Avalanche Energy Rating Eas

16 mJ

HTS Kodu

8541.29.00.95

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

12

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

2000 @ 3A 2V

Jesd30 Code

R-PSIP-T12

Montaj

Through Hole

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Kurşunsuz Kodu

yes

Collector Emitter Voltage Vceo

1.5V

Ambalaj

Tube

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Vce Saturation Max Ib Ic

1.5V @ 3mA, 3A

Power Max

5W

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Transistor Type

4 NPN Darlington (Quad)

Drain Currentmax Abs Id

4A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Ds Breakdown Voltagemin

100V

Kılıf / Paket

12-SIP

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Power Dissipation

5W

Yayın Yılı

2001

ECCN Kodu

EAR99

Max Collector Current

5A

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Configuration

COMPLEX

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

12

Drainsource On Resistancemax

0.55Ohm