Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Number Of Elements
- 4
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Parça Durumu
- Active
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 100V
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.037
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Transistor Element Material
- SILICON
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 2000 @ 1A 4V
- Terminal Sayısı
- 12
- Jesd30 Code
- R-PSIP-T12
- Montaj
- Through Hole
- HTS Kodu
- 8541.29.00.95
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kılıf / Paket
- 12-SIP
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.5V @ 2mA, 1A
- Power Max
- 4W
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Transistor Type
- 4 NPN Darlington (Quad)
- Polaritychannel Type
- NPN
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.5V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Ambalaj
- Tube
- Qualification Status
- Not Qualified
- Pin Sayısı
- 12
- ECCN Kodu
- EAR99
- Max Collector Current
- 2A
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Configuration
- COMPLEX
- Max Power Dissipation
- 4W
- Yayın Yılı
- 2001
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors