Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.075
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Parça Durumu
- Active
- Number Of Elements
- 4
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- HTS Kodu
- 8541.29.00.95
- Jesd30 Code
- R-PSIP-T12
- Montaj
- Through Hole
- Transistor Element Material
- SILICON
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 2000 @ 3A 4V
- Terminal Sayısı
- 12
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.5V
- JESD-609 Kodu
- e0
- Ambalaj
- Tube
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Polaritychannel Type
- PNP
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.5V @ 6mA, 3A
- Power Max
- 4W 20W
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Transistor Type
- 4 PNP Darlington (Quad)
- Kılıf / Paket
- 12-SIP
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Power Dissipation
- 20W
- Yayın Yılı
- 2001
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Configuration
- 4 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
- Kurşunsuz
- Lead Free
- ECCN Kodu
- EAR99
- Max Collector Current
- 4A
- Pin Sayısı
- 12
- Qualification Status
- Not Qualified
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors