
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Transistor Type
- 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge)
- Transistor Application
- SWITCHING
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Collector Current
- 10A
- Ambalaj
- Tube
- Montaj Tipi
- Through Hole
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Transistor Element Material
- SILICON
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Jesd30 Code
- R-PSIP-T12
- Frequency Transition
- 50MHz
- Qualification Status
- Not Qualified
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Power Max
- 5W
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Transition Frequency
- 50MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Pin Sayısı
- 12
- Terminal Sayısı
- 12
- Max Power Dissipation
- 5W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 2000 @ 6A 4V
- Number Of Elements
- 6
- Polaritychannel Type
- NPN AND PNP
- Montaj
- Through Hole
- ECCN Kodu
- EAR99
- Yayın Yılı
- 2001
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.5V @ 12mA, 6A
- Kılıf / Paket
- 12-SIP
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.5V
- Parça Durumu
- Active
- Configuration
- COMPLEX
- HTS Kodu
- 8541.29.00.75
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

