Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Montaj
- Through Hole
- Number Of Elements
- 6
- Polaritychannel Type
- NPN AND PNP
- Max Power Dissipation
- 5W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 2000 @ 5A 4V
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Pin Sayısı
- 12
- Terminal Sayısı
- 12
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Transition Frequency
- 50MHz
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.5V
- Kılıf / Paket
- 12-SIP
- HTS Kodu
- 8541.29.00.75
- Configuration
- COMPLEX
- Parça Durumu
- Active
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.5V @ 10mA, 5A
- Yayın Yılı
- 2001
- ECCN Kodu
- EAR99
- Ambalaj
- Bulk
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Collector Current
- 8A
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Transistor Type
- 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge)
- Transistor Application
- SWITCHING
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Qualification Status
- Not Qualified
- Power Max
- 5W
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Frequency Transition
- 50MHz
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Jesd30 Code
- R-PSIP-T12
- Transistor Element Material
- SILICON
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors