Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Pin Sayısı
- 12
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.08
- Terminal Sayısı
- 12
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Number Of Elements
- 6
- Polaritychannel Type
- NPN AND PNP
- Montaj
- Through Hole
- Max Power Dissipation
- 5W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 2000 @ 3A 4V
- Yayın Yılı
- 1999
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.5V @ 6mA, 3A
- ECCN Kodu
- EAR99
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Kılıf / Paket
- 12-SIP
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.5V
- Parça Durumu
- Active
- Configuration
- COMPLEX
- HTS Kodu
- 8541.29.00.95
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Transistor Type
- 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge)
- Transistor Application
- SWITCHING
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Ambalaj
- Tube
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Collector Current
- 5A
- Montaj Tipi
- Through Hole
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Transistor Element Material
- SILICON
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Jesd30 Code
- R-PSIP-T12
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Qualification Status
- Not Qualified
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 100V
- Power Max
- 5W
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors