Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Power Dissipation
- 5W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 2000 @ 3A 4V
- Montaj
- Through Hole
- Number Of Elements
- 4
- Polaritychannel Type
- NPN AND PNP
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Pin Sayısı
- 12
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Terminal Sayısı
- 12
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.08
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.5V
- Kılıf / Paket
- 12-SIP
- HTS Kodu
- 8541.29.00.95
- Parça Durumu
- Active
- Configuration
- COMPLEX
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- ECCN Kodu
- EAR99
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.5V @ 6mA, 3A
- Yayın Yılı
- 1999
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Collector Current
- 5A
- Ambalaj
- Tube
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Transistor Type
- 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge)
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Transistor Application
- SWITCHING
- Power Max
- 5W
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 100V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Montaj Tipi
- Through Hole
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Transistor Element Material
- SILICON
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Jesd30 Code
- R-PSFM-T12
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors