Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Collector Current
- 5A
- Ambalaj
- Tube
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Transistor Type
- 4 NPN Darlington (Quad)
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Qualification Status
- Not Qualified
- Power Max
- 5W
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 120V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Transistor Element Material
- SILICON
- Jesd30 Code
- R-PSFM-T12
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Max Power Dissipation
- 5W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 2000 @ 3A 2V
- Number Of Elements
- 4
- Polaritychannel Type
- NPN
- Montaj
- Through Hole
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Pin Sayısı
- 12
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.08
- Terminal Sayısı
- 12
- Kılıf / Paket
- 12-SIP
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.5V
- Parça Durumu
- Active
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Configuration
- COMPLEX
- HTS Kodu
- 8541.29.00.95
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- ECCN Kodu
- EAR99
- Yayın Yılı
- 2001
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.5V @ 3mA, 3A
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors