Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 2000 @ 3A 2V
- Max Power Dissipation
- 5W
- Number Of Elements
- 4
- Polaritychannel Type
- NPN
- Montaj
- Through Hole
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.08
- Terminal Sayısı
- 12
- Pin Sayısı
- 12
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Configuration
- 4 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Parça Durumu
- Active
- HTS Kodu
- 8541.29.00.95
- Kılıf / Paket
- 12-SIP
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.5V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- ECCN Kodu
- EAR99
- Yayın Yılı
- 2000
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.5V @ 3mA, 3A
- Max Collector Current
- 5A
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Ambalaj
- Tube
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Transistor Type
- 4 NPN Darlington (Quad)
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Power Max
- 5W
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 120V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Transistor Element Material
- SILICON
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Jesd30 Code
- R-PSFM-T12
- Montaj Tipi
- Through Hole
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors