Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Pin Sayısı
- 12
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.1
- Terminal Sayısı
- 12
- Max Power Dissipation
- 5W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 1000 @ 1.5A 4V
- Polaritychannel Type
- NPN
- Number Of Elements
- 4
- Montaj
- Through Hole
- ECCN Kodu
- EAR99
- Yayın Yılı
- 2001
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.5V @ 3mA, 1.5A
- Kılıf / Paket
- 12-SIP
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.5V
- Configuration
- COMPLEX
- Parça Durumu
- Active
- HTS Kodu
- 8541.29.00.95
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Transistor Type
- 4 NPN Darlington (Quad)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Collector Current
- 3A
- Ambalaj
- Tube
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Jesd30 Code
- R-PSFM-T12
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Transistor Element Material
- SILICON
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Qualification Status
- Not Qualified
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 200V
- Power Max
- 5W
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors