Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Terminal Sayısı
- 12
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.167
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Pin Sayısı
- 12
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 2000 @ 2A 4V
- Max Power Dissipation
- 5W
- Montaj
- Through Hole
- Polaritychannel Type
- NPN
- Number Of Elements
- 4
- ECCN Kodu
- EAR99
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.5V @ 10mA, 2A
- Yayın Yılı
- 2001
- HTS Kodu
- 8541.29.00.95
- Parça Durumu
- Active
- Configuration
- 4 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.5V
- Kılıf / Paket
- 12-SIP
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Transistor Type
- 4 NPN Darlington (Quad)
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Max Collector Current
- 4A
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Ambalaj
- Tube
- Transistor Element Material
- SILICON
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Jesd30 Code
- R-PSFM-T12
- Montaj Tipi
- Through Hole
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Qualification Status
- Not Qualified
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 100V
- Power Max
- 5W
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors