2SB1559

Teknik Özellikler

Qualification Status

Not Qualified

Yayın Yılı

2007

Transistor Application

AMPLIFIER

Collector Emitter Voltage Vceo

2.5V

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Frequency Transition

65MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Power Max

80W

Transition Frequency

65MHz

Polaritychannel Type

PNP

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Parça Durumu

Active

Vce Saturation Max Ib Ic

2.5V @ 6mA, 6A

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

5000 @ 6A 4V

Transistor Type

PNP - Darlington

Montaj

Through Hole

Fabrika Tedarik Süresi

24 Weeks

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR

Current Collector Cutoff Max

100μA ICBO

Kurşunsuz Kodu

yes

Kılıf / Paket

TO-3P-3, SC-65-3

Max Collector Current

8A

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

80W

Montaj Tipi

Through Hole

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Configuration

SINGLE

Terminal Sayısı

3

Jesd30 Code

R-PSFM-T3

Collectoremitter Breakdown Voltage

150V

Pin Sayısı

3

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Ambalaj

Bulk