VT6Z2T2R

Teknik Özellikler

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

6

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Number Of Elements

2

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Collectoremitter Saturation Voltage

-150mV

Montaj

Surface Mount

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Max Collector Current

100mA

Frequency Transition

350MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e2

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Montaj Tipi

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Power Max

150mW

Kılıf / Paket

6-SMD

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Max Power Dissipation

150mW

Transistor Type

NPN, PNP

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Application

SWITCHING

Radyasyon Dayanımı

No

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Gain Bandwidth Product

300MHz

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Yayın Yılı

2015

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Dual

Kurşunsuz

Lead Free

Polarity

NPN, PNP

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transition Frequency

350MHz

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Terminal Formu

FLAT