VT6X12T2R

Teknik Özellikler

Kurşunsuz Kodu

yes

Frequency Transition

350MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

JESD-609 Kodu

e2

Currentcollector Ic Max

100mA

Configuration

CURRENT MIRROR

Montaj Tipi

Surface Mount

Kılıf / Paket

6-SMD, Flat Leads

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Power Max

150mW

Terminal Sayısı

6

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Number Of Elements

2

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Polaritychannel Type

NPN

Transition Frequency

350MHz

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

6

Qualification Status

Not Qualified

Power Dissipationmax Abs

0.15W

Transistor Type

2 NPN (Dual)

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Yayın Yılı

2009

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant