Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e2
- Currentcollector Ic Max
- 200mA
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Frequency Transition
- 350MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 1mA 6V
- Power Max
- 150mW
- Kılıf / Paket
- 6-SMD, Flat Leads
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 10mA, 100mA
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Number Of Elements
- 2
- Terminal Kaplaması
- TIN COPPER
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 20V
- Terminal Sayısı
- 6
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Yüzey Montaj
- YES
- Polaritychannel Type
- PNP
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Jesd30 Code
- R-PDSO-F6
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Parça Durumu
- Active
- Transition Frequency
- 350MHz
- Transistor Element Material
- SILICON
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Qualification Status
- Not Qualified
- Pin Sayısı
- 6
- ECCN Kodu
- EAR99
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Power Dissipationmax Abs
- 0.15W
- Transistor Application
- SWITCHING
- Kurşunsuz
- Lead Free
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

