US6X8TR

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

6

Transistor Element Material

SILICON

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Vce Saturation Max Ib Ic

350mV @ 25mA, 500mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Application

AMPLIFIER

ECCN Kodu

EAR99

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Yüzey Montaj

YES

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Kurşunsuz Kodu

yes

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Transition Frequency

320MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

270 @ 100mA 2V

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

JESD-609 Kodu

e2

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Power Dissipationmax Abs

0.4W

Frequency Transition

320MHz

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Currentcollector Ic Max

1A

Qualification Status

Not Qualified

Polaritychannel Type

NPN

Parça Durumu

Active

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Number Of Elements

2

Power Max

400mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

6

Kılıf / Paket

6-SMD, Flat Leads

Kurşunsuz

Lead Free