Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Collector Base Voltage Vcbo
- -30V
- Power Max
- 400mW
- Number Of Elements
- 2
- Max Collector Current
- 1A
- Pin Sayısı
- 6
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Pin Sayısı
- 6
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Max Power Dissipation
- 1W
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Hfemin
- 270
- Currentcollector Ic Max
- 1A
- Yayın Yılı
- 2007
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- Emitter Base Voltage Vebo
- 6V
- Gain Bandwidth Product
- 320MHz
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Montaj
- Surface Mount
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 30V
- Transition Frequency
- 320MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 270 @ 100mA 2V
- Element Configuration
- Dual
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Terminal Kaplaması
- Tin/Copper (Sn/Cu)
- JESD-609 Kodu
- e2
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Transistor Element Material
- SILICON
- Continuous Collector Current
- -1A
- Terminal Sayısı
- 6
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 30V
- Terminal Formu
- FLAT
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 350mV @ 25mA, 500mA
- Polarity
- PNP
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

