US6T8TR

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

6

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

12V

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Application

AMPLIFIER

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 25mA, 500mA

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Kurşunsuz Kodu

yes

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

270 @ 200mA 2V

Transition Frequency

400MHz

JESD-609 Kodu

e2

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Power Dissipationmax Abs

0.4W

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Frequency Transition

400MHz

Yayın Yılı

2007

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Currentcollector Ic Max

1.5A

Qualification Status

Not Qualified

Polaritychannel Type

PNP

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Parça Durumu

Active

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

2

Power Max

400mW

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Kılıf / Paket

6-SMD, Flat Leads

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

6

Montaj Tipi

Surface Mount