US6M1TR

Teknik Özellikler

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Yayın Yılı

2007

Fet Feature

Logic Level Gate

Direnç

280MOhm

Temel Parça No

6M1

Power Dissipation

1W

Rise Time

8ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yükseklik

770μm

Dual Supply Voltage

30V

Number Of Elements

2

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Gate To Source Voltage Vgs

-12V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Genişlik

1.7mm

Fall Time Typ

10 ns

Fet Type

N and P-Channel

Reach Svhc

No SVHC

Input Capacitance Ciss Max Vds

70pF @ 10V

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Dual

Gate Charge Qg Max Vgs

2nC @ 5V

Current Continuous Drain Id25

1.4A 1A

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Montaj

Surface Mount

Akım Değeri

1.4A

Terminal

SMD/SMT

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

1W