US6M11TR

Teknik Özellikler

Gate Charge Qg Max Vgs

1.8nC @ 4.5V

Kurşunsuz Kodu

yes

Drain Currentmax Abs Id

1.5A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Current Continuous Drain Id25

1.5A 1.3A

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

JESD-609 Kodu

e2

Drain To Source Voltage Vdss

20V 12V

Number Of Channels

2

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Sayısı

6

Rds On Max Id Vgs

180m Ω @ 1.5A, 4.5V

Turn Off Delay Time

30 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

110pF @ 10V

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

1.3A

Fall Time Typ

9 ns

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Gate To Source Voltage Vgs

10V

Transistor Application

SWITCHING

Fet Type

N and P-Channel

Drain To Source Breakdown Voltage

-12V

Pin Sayısı

6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Number Of Elements

2

Temel Parça No

*M11

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

6

Max Power Dissipation

1W

Rise Time

10ns

Kılıf / Paket

6-SMD, Flat Leads

Kurşunsuz

Lead Free

Yayın Yılı

2016

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)