US6K2TR

Teknik Özellikler

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Radyasyon Dayanımı

No

JESD-609 Kodu

e2

Voltage Rated Dc

30V

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Dual

Gate Charge Qg Max Vgs

2nC @ 5V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Fall Time Typ

8 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Input Capacitance Ciss Max Vds

70pF @ 10V

Continuous Drain Current Id

1.4A

Transistor Element Material

SILICON

Turn Off Delay Time

13 ns

Rds On Max Id Vgs

240m Ω @ 1.4A, 10V

Terminal Sayısı

6

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

6

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

1W

Rise Time

6ns

Kılıf / Paket

6-SMD, Flat Leads

Temel Parça No

*K2

Power Dissipation

1W

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Number Of Elements

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

6

Parça Durumu

Active

Akım Değeri

1.4A

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR